Silan LED de chip semiconductor costo SVF18N50T SVF18N50T. F. PN Xiamen Silan SVF13N60AF ??semiconductor estable tubo de MOS chip semiconductor LED costo SVF18N50T Silan SVF18N50T. F. PN Silan gran número de fuentes SVF20NE50PN Flytech Electrónica Suministro Silan SVF20NE60PN [industria electrónica] [fábrica] Silan LED indicador del chip de circuito SVF20N50F.PN [] [Dongguan] Silan Silan SVF20N60F.PN SVF9N65F auténtica y original [Shenzhen] un montón de Silan Fuentes SVF9N90 F. PN [Huaqiang del Norte] MOS mucho SVF3N50D.MJ tubo Silan componentes semiconductores] [tubo Silan ICMOS SVF4N90F general Flytech electrónico [Tel: 075588257825 15622829450 Empresa QQ: 2355410666] tales programas principalmente productos Silan AC-DC dise?o de chips, cargadores de teléfonos móviles, el poder de DVD, adaptador DVB y la potencia de alimentación para PC la dirección principal de la aplicación. Las principales características de la serie SD484X chip. El circuito de control PWM y MOSFET de potencia de alta tensión. Con respecto al circuito de control y el MOSFET de potencia para la separación y reducir el coste y mejorar la fiabilidad del circuito. Sobre-resistencia especificaciones máximas del MOSFET fueron: 16,8 ohmios, 9,6 ohmios, 6,0 ohmios, 4,8 ohmios, 3,6 ohmios. Máxima correspondiente pico de corriente es: 0,6 A, 0.75 A, 0.90 A, 1.20 A, 1.50A. Puede ser seleccionado de acuerdo con la potencia de salida deseada del chip real. El chip principal, con bajo consumo de energía, baja corriente de arranque y bajo EMI, la máxima eficiencia puede alcanzar el 80%. A partir de la tensión y la tensión de salida se pueden ajustar, el rango de potencia para el circuito actual puede ofrecer: un rango de voltaje estrecho de 5 ~ 18W, amplio rango de tensión de 7 ~ 21W. Built-in 15 ms circuito de arranque suave, reduciendo la tensión del transformador principal de arranque de viruta. La frecuencia de conmutación del principal chip de 67KHz, la oscilación de fluctuación de frecuencia, puede reducir la EMI. En el modo de espera, el chip principal entra en modo de hipo, lo que reduce eficazmente el consumo de energía de reserva chip principal. Viruta principal integra una variedad de la protección del estado anormal. Incluya bloqueo de mínima tensión, protección contra sobretensiones, líder de borrado de borde, la protección de sobrecorriente y protección térmica. Después de la aparición de la protección principal de chip, el chip puede continuar para reiniciar automáticamente hasta que el sistema es normal. Ventajas según Tuoshi Lan integrados 650V MOSFET, 650V BCD, 25V BCD plataforma de tecnología especial, la arquitectura de energía optimizado (adelante, flyback, medio puente, abrazadera activo, crítico de conducción, de conducción continua), se puede aplicar a AC-DC productos de conversión de energía. Participa en la soluciones de productos de alto rendimiento, bajo consumo de energía, es la solución de administración de energía verde, los programas para lograr mayor comodidad. "Los dispositivos discretos a Silan avanzaron y plataforma de procesos de fabricación de la línea de producción de chips estable y sólida base de la capacidad, la compa?ía desarrolló una variedad de productos semiconductores discretos dispositivos, utilizado principalmente en el campo de la alta tensión productos de dispositivos de energía y estructuras especiales, es la los mayores proveedores de componentes, algunos productos han sido en las marcas de renombre internacional y es ampliamente adoptado. Mientras tanto, Silan también invirtió fuertemente la más avanzada SiC (carburo de silicio) y AAN (GaN) poder material compuesto la investigación y el desarrollo del dispositivo. S-Rin? serie de tipo agotamiento de alta presión de productos MOS SVD501DEAG F-Cell? serie de alto voltaje productos MOS SVF1 N60M.MJ.BDN SVF2N60T.FM MJ.DNNF SVF2N65F.N.MJ SVF2N70F.MDNF.MJ SVF2N80AD SVF3N80T SVF830T .FMMJ.D SVF4N60T.FMMJ.KD SVF4N65T.FMDMJ.KS SVF4N70F SVF4N80F.D.MJ. FD MJ.m SVF5N60T.F.MJ.D SVF5N80T.F.MJ SVF6N60F, MJ, D, S SVF6N70F, MJ SVF7N60.TFMJ.SK SVF7N65F.KS SVF7N80F SV F840T, F, D, S SVF8N60T.F SVF8N65T SVF8N70F SVF8N80T, F SVF10N60T, F, S, K SVF10N60AF ??SVF10N65T, F, K, S SVF12N60T. FS K SVF12N65T, F, K, S SVF13N50T. SVF18N50T F. PN SVF13N60AF. F. PN SVF20NE50PN SVF20NE60PN SVF20N50F.PN SVF20N60F.PN SVF9N65F SVF9N90 F. PN SVF3N50D.MJ SVF4N90F SVF9N60T SVFiN65MJ SVF18N60F SVF7N65AF SVF740F, T SVF10N80F, K SVF2NSOF, D, NF, MJ SVF11N90PN SVF730M , M, T, D SVF23N50PN SVF25NE50PN SVF1N50B SVF18NE50PN SVF11N60F, T SVF11NE90PN SVF7N65BF SVF4N60BF SVF14N50F SVF18N65F "